沉积

要实现等离子体沉积，薄膜沉积的温度敏感性是一个重要问题。在半导体加工中，这个问题通常是由于正在制造的复杂设备的材料属性导致的。

等离子体沉积的基本原则与等离子蚀刻类似，除了薄膜沉积下来，而不是被移除。涉及的基本机制步骤如下。

• 形成活跃的气体种类。

• 将活性气体运输到表面。

• 在表面发生反应。

• 向下泵送反应产物。

两种最常见的沉积薄膜是氧化硅和氮化硅，不过其他的薄膜如碳化硅和非晶质硅也是有可能产生的。反应气体的选择决定了薄膜的性状。对于氧化硅而言，可以使用二氯硅烷或硅烷气体结合适当的氧化剂如氮氧化物。氮化硅通常用硅烷和氨气或氮气沉积。气体、压力和等离子功率的选择决定了薄膜的属性。

反应室的配置可以非常简单，平行板配上RF功率的电容耦合，或者可能涉及到类似于电感耦合等离子体的配置。在这两种情况下，气体输送系统都对薄膜均匀性起到重要的作用。