无线
复合半导体材料占主导地位的无线市场主要包括功率放大器的晶体管（异质结双极晶体管）和高速开关（高电子迁移率晶体管）。随着对手机的需求的不断提高，这个市场持续保持增长。
利用电感耦合等离子体（ICP）技术和等离子增强化学气相沉积（PECVD），Plasma-Therm拥有适用于广泛的复合半导体材料的蚀刻和沉积技术，可用于无线市场上的设备。
作为市场领导者，Plasma-Therm 提供了面向从研发到大批量制造的解决方案。在生产HBT和HEMT的各种流程中，有低损伤启门和通过蚀刻和低应力氮化硅沉积实现的高速背面蚀刻。
Plasma-Therm主动控制的 ICP加热处理模块和集成的端点系统提供了可复现的生产环境。端点系统被称为EndpointWorks™, 能够与激光干涉仪、光发射光谱仪和其它输入配合工作。
典型应用
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蚀刻
- 砷化镓高速剖面控制
- 磷化铟高速剖面控制
- 砷化镓台面蚀刻
- 氮化硅低损伤门蚀刻
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沉积低应力、低损伤的氮化硅PECVD
- 电容器
- 封装
- 钝化
- 层间绝缘
低损氮化硅开闸试通过适合容易受损的复合半导体如砷化镓与砷化铟镓的低功率流程完成的。
通过剖面控制的蚀刻率实现的最快背面蚀刻是通过VERSALINE??. 实现的。 未镀蓝晶石的静电夹紧提供了更好的散热性能，将排除边缘的影响降到最小。 Plasma-Therm 领导了无柱孔的发展。
Plasma-Therm拥有先进的PECVD反应氦气稀释技术，应力控制的氮化硅薄膜可以使用低频率的情况下，不受设备损害地完成沉积。
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