R&D (¿¬±¸°³¹ß)
¿À´Ã³¯ ¼¼°èÀûÀ¸·Î Á÷¸éÇÑ ¼ö¸¹Àº °úÁ¦¿¡ ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÏ°í ±â¼ú ¿ìÀ§¸¦ Á¡À¯Çϱâ À§ÇØ ´ëÇÐ, ¿¬±¸¼Ò, Á¦Á¶¾÷ü µîÀÌ Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ¿¬±¸°³¹ßÀ» ÁøÇàÇÏ¿´½À´Ï´Ù. Á¶¸í¿¡¼ºÎÅÍ µ¥ÀÌÅÍ ½ºÅ丮Áö, ûÁ¤¿¡³ÊÁö Á¦Ç°±îÁö ³·Àº ºñ¿ëÀ¸·Î ³ôÀº È¿À²À» ³ªÅ¸³»°í, ÀÛÀ¸¸é¼ ¶Ù¾î³ ¼º´ÉÀ» Áö´Ñ Á¦Ç°¿¡ ´ëÇÑ ¿¬±¸°¡ ÃÖ±Ù ¿¬±¸ °³¹ßºÐ¾ßÀÇ ÁÖ¿ä µ¿ÀÎÀÔ´Ï´Ù.
Plasma-ThermÀº ¼¼°è À¯¼öÀÇ ´ëÇÐ ¹× ¿¬±¸±â°üÀÇ °ø±ÞÀÚÀÌ¸é¼ ¿¬±¸ ÆÄÆ®³ÊÀÇ ¿ªÇÒÀ» ´ã´çÇØ¿Ô½À´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ, ÀÌ¹Ì ¿ÜºÎ·ÎºÎÅÍ ÀÎÁ¤¹ÞÀº ¼º´É°ú ǰÁúÀ» ´õ¿í ´õ Çâ»óÇϱâ À§ÇØ ¿¬±¸°³¹ßÀ» ÁøÇàÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. °í°´ÀÇ ¿¬±¸°³¹ß ¿ä±¸¿¡ ºÎÀÀÇϱâ À§ÇØ ¼öµ¿ load, ´ÜÀϱâÆÇ(single-substrate), cassette-to-cassette configurationµîÀ¸·Î plasma etch ¹× depositionÀÇ ´Ù¾çÇÑ ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.
EndpointWorks¢â¸¦ °³¹ßÇÑ Áøº¸µÈ °øÁ¤Á¦¾î ±â¼ú·Î ¿¬±¸Áøµé¿¡°Ô etch ¹× PECVD °øÁ¤À» ÆÄ¾ÇÇÏ´Â µ¥¿¡ µµ¿òÀÌ µÇ¾ú°í ÀÌ Á¡ÀÌ Á¦Ç° ÀçÇö¼º ¹× ³·Àº À¯Áöº¸¼öºñ¿ë°ú °áÇÕÇÏ¿© Plasma-ThermÀ» ¿ì¼ö °ø±Þ»ç·Î¼ ÀÚ¸®¸Å±èÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô ÇØÁÖ¾ú½À´Ï´Ù.
ÀÏ¹Ý ¾îÇø®ÄÉÀ̼Ç
-
Etch
- Si
- SiN
- SiC
- PSS (patterned sapphire substrate)
- GaN
- GaAs
- AlGaInP (¹× °ü·Ã Àç·á)
- GaP
- Quartz
-
Deposition
- ¶Ù¾î³ µî°¢¼º(conformality)¿Í ³ôÀº ½ºÆ®·¹½º Á¦¾îÀ²À» º¸ÀÌ´Â SiNx PECVD
- SiO2— °í Ç׺¹Àü¾Ð(High breakdown voltage), ³·Àº ½ºÆ®·¹½º, ³·Àº ¿Âµµ
Á¦Ç°
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