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½æ³×ÀÏ À̹ÌÁö¿¡ ¸¶¿ì½º Ä¿¼­¸¦ ´ë½Ã¸é Å« À̹ÌÁö·Î º¸½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù
R&D¸¦ À§ÇÑ ¸ÂÃã ±â¼ú1
 
 

R&D (¿¬±¸°³¹ß)

¿À´Ã³¯ ¼¼°èÀûÀ¸·Î Á÷¸éÇÑ ¼ö¸¹Àº °úÁ¦¿¡ ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÏ°í ±â¼ú ¿ìÀ§¸¦ Á¡À¯Çϱâ À§ÇØ ´ëÇÐ, ¿¬±¸¼Ò, Á¦Á¶¾÷ü µîÀÌ Áö¼ÓÀûÀ¸·Î ¿¬±¸°³¹ßÀ» ÁøÇàÇÏ¿´½À´Ï´Ù. Á¶¸í¿¡¼­ºÎÅÍ µ¥ÀÌÅÍ ½ºÅ丮Áö, ûÁ¤¿¡³ÊÁö Á¦Ç°±îÁö ³·Àº ºñ¿ëÀ¸·Î ³ôÀº È¿À²À» ³ªÅ¸³»°í, ÀÛÀ¸¸é¼­ ¶Ù¾î³­ ¼º´ÉÀ» Áö´Ñ Á¦Ç°¿¡ ´ëÇÑ ¿¬±¸°¡ ÃÖ±Ù ¿¬±¸ °³¹ßºÐ¾ßÀÇ ÁÖ¿ä µ¿ÀÎÀÔ´Ï´Ù.

Plasma-ThermÀº ¼¼°è À¯¼öÀÇ ´ëÇÐ ¹× ¿¬±¸±â°üÀÇ °ø±ÞÀÚÀ̸鼭 ¿¬±¸ ÆÄÆ®³ÊÀÇ ¿ªÇÒÀ» ´ã´çÇØ¿Ô½À´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ, ÀÌ¹Ì ¿ÜºÎ·ÎºÎÅÍ ÀÎÁ¤¹ÞÀº ¼º´É°ú ǰÁúÀ» ´õ¿í ´õ Çâ»óÇϱâ À§ÇØ ¿¬±¸°³¹ßÀ» ÁøÇàÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. °í°´ÀÇ ¿¬±¸°³¹ß ¿ä±¸¿¡ ºÎÀÀÇϱâ À§ÇØ ¼öµ¿ load, ´ÜÀϱâÆÇ(single-substrate), cassette-to-cassette configurationµîÀ¸·Î plasma etch ¹× depositionÀÇ ´Ù¾çÇÑ ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.

EndpointWorks¢â¸¦ °³¹ßÇÑ Áøº¸µÈ °øÁ¤Á¦¾î ±â¼ú·Î ¿¬±¸Áøµé¿¡°Ô etch ¹× PECVD °øÁ¤À» ÆÄ¾ÇÇÏ´Â µ¥¿¡ µµ¿òÀÌ µÇ¾ú°í ÀÌ Á¡ÀÌ Á¦Ç° ÀçÇö¼º ¹× ³·Àº À¯Áöº¸¼öºñ¿ë°ú °áÇÕÇÏ¿© Plasma-ThermÀ» ¿ì¼ö °ø±Þ»ç·Î¼­ ÀÚ¸®¸Å±èÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô ÇØÁÖ¾ú½À´Ï´Ù.

ÀÏ¹Ý ¾îÇø®ÄÉÀ̼Ç

  • Etch
              - Si
              - SiN
              - SiC
              - PSS (patterned sapphire substrate)
              - GaN
              - GaAs
              - AlGaInP (¹× °ü·Ã Àç·á)
              - GaP
              - Quartz

  • Deposition
              - ¶Ù¾î³­ µî°¢¼º(conformality)¿Í ³ôÀº ½ºÆ®·¹½º Á¦¾îÀ²À» º¸ÀÌ´Â SiNx PECVD
              - SiO2— °í Ç׺¹Àü¾Ð(High breakdown voltage), ³·Àº ½ºÆ®·¹½º, ³·Àº ¿Âµµ

Á¦Ç°

 

»ó¼¼ À̹ÌÁö

 
 

¹®ÀÇ»çÇ×À̳ª Á¤º¸°¡ ÇÊ¿äÇϽøé email: information@plasmatherm.com À̳ª ÀüÈ­+1.727.577.4999·Î ¿¬¶ôÁֽñ⠹ٶø´Ï´Ù.