Mask Etcher¢ç Series
Plasma-ThermÀº 15³â ÀÌ»ó Æ÷Å丶½ºÅ© ½ÃÀå¿¡¼ dry etching ºÐ¾ßÀÇ ¼±±¸ÀÚ ¿ªÇÒÀ» ÇØ¿Ô½À´Ï´Ù.
Mask Etcher¢ç ½Ã½ºÅÛÀº Æ÷Å丶½ºÅ© »ý»ê°úÁ¤ÀÇ dry etch ¼º´É ¹× »ç¿ë¿¡ ÀÖ¾î¼ÀÇ ´Ù¾ç¼ºÀÇ ±âÁØÀ» ¼¼¿ü½À´Ï´Ù. Mask Etcher¢ç ¼Ö·ç¼ÇÀº ¹«¾îÀÇ ¹ýÄ¢À» ½ÇÇöÇϴµ¥ Áß¿äÇÑ ¿ªÇÒÀ» ÇÏ¿´À¸¸ç ³ëµåº° ±â¼ú °£°ÝÀ» Á¼È÷°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
ICP °í¹Ðµµ ÇöóÁ etch ½Ã½ºÅÛÀ» »ç¿ëÇÏ¿© 250umÀÇ ±âÃʴܰèÀÇ ±â¼ú·ÎºÎÅÍ32nm »ý»ê±â¼ú±îÁö ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô etch±â¼úÀ» º¸±ÞÇÏ¿´½À´Ï´Ù.
ÀúÈñ´Â ±âÁ¸ÀÇ Wet etch ±â¼ú·ÎºÎÅÍ ´õ¿í È¿À²ÀûÀÌ°í ³ôÀº »ý»ê¼ºÀ» °¡Áö´Â Dry etch ±â¼úÀÇ ÀüȯÀ» ÅëÇÏ¿© °í°´¿¡°Ô ºñ¿ëÀý°¨ÀÌ °¡´ÉÄÉ ÇÏ´Â MLS Mask Etcher¸¦ Á¦°øÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. MLSÀÇ ÀåÁ¡Àº Çâ»óµÈ ÇØ»óµµ¿Í ÃÖ¼ÒÅ©±âÀÇ Etch Bias¸¦ À¯ÁöÇÏ¸é¼ ÁÖ¿äºÎÀ§¸¦ À¯ÁöÇϴµ¥ ÀÖ½À´Ï´Ù. MLS Àåºñ´Â 180nm Æ÷Å丶½ºÅ© ±â¼úÀ» À§ÇÑ »ý»ê°ú Mask Etcher III ¿¡¼ ±×º¸´Ù ÀÛÀº Node·ÎÀÇ upgrade¸¦ ¹«³ÇÏ°Ô ¼öÇàÇÕ´Ï´Ù.
½Ã½ºÅÛ »ý»ê°¡µ¿¿¡¼ ³ôÀº È¿À²¼ºÀ» ³ªÅ¸³¿°ú µ¿½Ã¿¡ Çõ½Å ±â¼úÀ» ÅëÇØ °øÁ¤¿¡ ÀÖ¾î¼ ±ÕÀÏÇÑ ¼º´ÉÀ» º¸ÀÌ¸ç ¹Ì¼¼¸ÕÁö Á¦¾î¿¡µµ ¶Ù¾î³ ¼º°ú¸¦ °ÅµÎ¾ú½À´Ï´Ù. ÃֽЏðµ¨ÀÎ Generation V Mask Etcher¢ç´Â 5nm ¹Ì¸¸¿¡¼ CD ±ÕÀϼº°ú Linearity¿¡ ÀÖ¾î¼ Å¹¿ùÇÑ ¼º´ÉÀ» ³ªÅ¸³»°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
Mask Etcher¢ç 2-V ÀÇ ÁøÈ
|