MEMS/NEMS
MEMS ¹× NEMS´Â ¸¶ÀÌÅ©·Î Àü±â ±â°è ÀåÄ¡¿Í ´õ ¼¼¹ÐÇÑ ³ª³ë Àü±â ±â°èÀåÄ¡¸¦ ¸»ÇÕ´Ï´Ù. MEMS ¹× NEMS´Â ¼¾¼ ¹× ¾×Ãò¿¡ÀÌÅͺÎÅÍ ¼öµ¿ÀåÄ¡(passive device)±îÁö »õ·Î¿î ¾îÇø®ÄÉÀ̼ǿ¡±îÁö ºü¸£°Ô Àû¿ëµÇ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
ÀÌ ÀåÄ¡µéÀÇ ÀϹݿ뵵´Â ¾Æ·¡¿Í °°½À´Ï´Ù:
-
ÀüÀÚ
-
À¯Ã¼°øÇÐ
-
±â°è
-
ÀÚ±âÇÐ
-
À½ÇâÇÐ
-
±¤ÇÐ
À×Å©Á¬, ÀÚÀ̷νºÄÚÇÁ, °¡¼Ó±â, ¹ßÁø±â µî ÀϺΠÀåÄ¡´Â »ó¿ëÈµÇ¾î »ç¿ëµÇ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
MEMS ¹× NEMS ÀåºñÀÇ Á¦Á¶°øÁ¤À» ±âº»ÀûÀ¸·Î ÀÌÇØÇÏ¿©¾ß MEMS ¹× NEMS¸¦ ´Ù¾çÇÏ°Ô »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
Plasma-ThermÀº ½Ç¸®ÄÜ ¹× deep oxide etching ±â¼úÀ» °áÇÕÇÑ ´ÙÀ½°ú °°Àº °øÁ¤°³¹ß¿¡ Âø¼öÇÏ¿´½À´Ï´Ù.
-
Parameter morphingÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ÇÁ·ÎÆÄÀÏ Á¦¾î(ƯÇã)
-
°øÁ¤º° ½Ã°£À» ´ÜÃà ¹× ¸Å²ô·¯¿î side walló¸®
-
ºü¸¥ °¡½º ½ºÀ§Äª(ƯÇã)
-
ºü¸£°í ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ ¾Ð·Â Á¦¾î(ƯÇã)
-
Solid State RF Tuning
-
Notchless silicon-on-insulator etching (ƯÇã ÁøÇàÁß)
-
ȹ±âÀûÀÎ RF ¹ÙÀ̾ ÆÄÇü(waveform)
-
ƯÇã ȹµæÇÑ Endpoint ¾Ë°í¸®Áò ±â¼ú
-
½Ä°¢ ºñÀ²(aspect ratio)¿¡ µû¸¥ etching °¨¼Ò(ƯÇã ÁøÇà Áß)
-
°øÁ¤¾ÈÁ¤¼º (¿Âµµ ¾ÈÁ¤ÈµÈ ICP)
ÀÌ·¯ÇÑ ÀÀ¿ë±â¼úÀº ź·ÂÀûÀÎ ¿î¿ë°ú »ç¿ë¹üÀ§¿¡ ÀÖ¾î¼ Å¸ÀÇ ÃßÁ¾À» ºÒÇãÇØ¿ÔÀ¸¸ç mask Àç·á ¼±Åôپ缺¿¡ ÀÖ¾î¼ ¿ìÀ§¸¦ Â÷ÁöÇØ¿Ô½À´Ï´Ù.
Plasma-ThermÀº MEMS/NEMS»ê¾÷¿¡ ±¸Ã¼ÀûÀÎ ¼Ö·ç¼ÇÀ» °è¼ÓÀûÀ¸·Î Á¦½ÃÇϱâ À§ÇØ ³ë·ÂÇÒ °ÍÀÔ´Ï´Ù.
Á¦Ç°
|