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±ÞµîÇÏ´Â ¿¡³ÊÁö ºñ¿ë°ú ±Û·Î¹ú ³ì»ö»ê¾÷ÀÇ ¼ºÀåÀ¸·Î ÀÎÇØ ¿¡³ÊÁö È¿À²ÀûÀÎ ¼Ö¸®µå ½ºÅ×ÀÌÆ® ¶óÀÌÆÃ(SSL)¿¡ ´ëÇÑ ¼ö¿ä°¡ ±ÞÁõÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.
°íÁ¶µµ LED¸¦ ±âº»À¸·Î ÇÑ »õ·Î¿î Á¶¸í»ê¾÷¿¡ GaN ÈÇÕ¹° ¹ÝµµÃ¼¸¦ ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÑ Àü±â Á¶¸íÀÌ ±âÃʸ¦ Á¦°øÇÏ¿´½À´Ï´Ù.
Plasma-ThermÀº 15³â°£ ÁÖ¿ä LED Á¦Á¶»ç¿¡ Á¦Ç°À» °ø±ÞÇÏ¿´½À´Ï´Ù. silicon oxide (SiO2), silicon nitride(SiNx)»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó etching gallium nitride (GaN), ÆÐÅÏÈ »çÆÄÀÌ¾î ±âÆÇ (PSS), ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC)¿¡µµ Àü¹®¼ºÀ» °®Ãß¾î ½ÃÀå¿¡ ÁøÃâÇÏ´Â ¼Ò±Ô¸ð ±â¾÷»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ¾÷°è ¼±µÎ±â¾÷¿¡ ±îÁö ÆÄÆ®³Ê·Î¼ ÁÁÀº ±âȸ¸¦ Á¦°øÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù.
Plasma-ThermÀº R&D¿¡¼ºÎÅÍ ¾ç»ê¿ë Á¦Ç°±îÁö Á¦Ç°±ºÀ» °í·ç °®Ãß°í ÀÖ½À´Ï´Ù. ´ÜÀϱâÆÇ ¹× batch clamping¿¡µµ ÃÖ÷´Ü etch rate performance¸¦ ÀÚ¶ûÇÏ´Â Çõ½ÅÀûÀÎ ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÕ´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ, Æó¼â ·çÇÁ¿Âµµ Á¦¾î¼Ò½º¸¦ »ç¿ëÇÏ¿© À¯Áöº¸¼ö ±â°£ÀÇ °£°ÝÀ» ¿¬ÀåÇÏ¿© Á¦Ç°ÀÇ ±âÁØÀ» Á¦½ÃÇÏ¿´½À´Ï´Ù. Plasma-Therm Á¦Ç°ÀÇ ³·Àº À¯Áöº¸¼öÀ²Àº ºñ¿ëÀý°¨¿¡µµ µµ¿òÀÌ µË´Ï´Ù.
ÀÏ¹Ý ¾îÇø®ÄÉÀ̼Ç
-
Etch
- GaN etch
- SiC
- PSS (ÆÐÅÏÈµÈ »çÆÄÀÌ¾î ±âÆÇ)
- AlGaInP (¹× °è¿ Àç·á)
- GaP
-
Deposition
- SiNx PECVD ¶Ù¾î³ µî°¢µµ¿Í ³ôÀº dep. rate¿¡¼ÀÇ ½ºÆ®·¹½º Á¦¾î
- SiO2 — ³ôÀº breakdown voltage, ³·Àº ½ºÆ®·¹½º, ³·Àº ¿Âµµ
Á¦Ç°
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