무선기술
화합물 반도체 재료가 주도하는 무선기술 시장의 주요 품목은 전력증폭 트랜지스터(이종접합 양극트랜지스터,heterojunction bipolar transistors)와 고속스위치(고전자이동 트랜지스터)입니다. 무선통신 수요가 계속적으로 증가함에 따라 이 시장도 지속적으로 성장하고 있습니다.
유도결합 플라즈마(ICP) 및 플라즈마 강화 화학증착(PECVD) 기술을 사용하며 무선기술시장에 사용되는 화합물 반도체 모든 재료에 대한 etch 및deposition 기술을 보유하고 있습니다.
이 시장의 리더로서 Plasma-Therm은 R&D에서부터 양산 공정까지 솔루션을 제공합니다. HBT 및HEMT 생산 공정 제품군중에 gate를 개방할 때 손상을 줄이고 Backside via의 높은 etching rate를 나타내며silicon nitride deposition에서는 스트레스를 감소시켰습니다.
플라즈마썸 ICP 가열공정 모듈과 통합 endpoint system은 생산환경에 있어서 재현성을 부여합니다. EndpointWorks™로 대표되는endpoint 시스템은 laser 간섭계(interferometry), optical emission spectroscopy(OES) 및 기타 입력방식 사용이 가능합니다.
일반 어플리케이션
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Etching
- GaAs via ? 프로파일 제어로 효율을 높임
- InP via ? 프로파일 제어로 효율을 높임
- GaAs - mesa etching기반
- SiNx low - 저손상gate etching
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Deposition- PECVD of SiNx의 스트레스를 낮추고 손상을 줄임
- Capacitors
- 봉합 (Encapsulation)
- Passivation
- 층간 유전체(Interlayer dielectric)
저손상 SiNx gate opening은 손상이 가기 쉬운GaAs and InGaAs과 같은 화합물반도체에 적합한 저전력공정을 진행합니다.
VERSALINE® 은 프로파일 제어로 backside via etch rate를 빠르게 진행하고 비금속 사파이어 carrier로 전압을 유지함으로써 edge 소모(edge-exclusion)를 최소화하여 열효율을 높여줍니다.
Plasma-Therm의PECVD 헬륨용해기술은 낮은 주파수를 사용하여 silicon nitride film의 스트레스를 제어하고 디바이스를 손상 없이 보호합니다.
제품
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